可测试材料
半导体材料：例如Si, Ge, GaAs, GaN, AlGaAs,CdTe, HgCdTe 等；
铁氧体材料；
低阻抗材料：金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、超导材料、TMR材料等。
基本功能
进行霍尔效应（包括低温），I-V特性，R-T特性，R-B特性测试。
主要技术指标
变温范围：45K~325K；
最大磁感应强度：1T（室温），0.44T（低温）；
样品最大电压：200V；
电流量程： ±10nA到±1A
样品阻值范围： Van der Pauw：40mΩ到10MΩ、 Hall bar：10mΩ到10MΩ。