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光电压谱(霍尔)测试系统
[发布时间:2015/10/28 作者:办公室]
可测试材料
半导体材料:例如Si, Ge, GaAs, GaN, AlGaAs,CdTe, HgCdTe 等;
铁氧体材料;
低阻抗材料:金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、超导材料、TMR材料等。
基本功能
进行霍尔效应(包括低温),I-V特性,R-T特性,R-B特性测试。
 主要技术指标
变温范围:45K~325K;
最大磁感应强度:1T(室温),0.44T(低温);
样品最大电压200V;
电流量程: ±10nA到±1A
样品阻值范围: Van der Pauw:40mΩ到10MΩ、 Hall bar:10mΩ到10MΩ。